- N?n t?ng MOSFET c?ng su?t
-
N?i dung b?ng
3.??c tính tr?ng thái d?n truy?n
8.?i?n áp h??ng thu?n body-diode
9.Ph?c h?i h??ng ng??c body-diode
10.N?ng l?c tuy?t l? và ??nh m?c
11.??nh m?c dV/dt
12.??c tính nhi?t tr?
13.C?ng su?t tiêu tán
14.Vùng làm vi?c an toàn
15.??nh m?c dòng ?i?n
1.K?t c?u linh ki?n c? b?n
MOSFET c?ng su?t (transistor hi?u ?ng tr??ng kim lo?i - oxit bán d?n) là linh ki?n c?ng su?t v? cùng th?ng d?ng, b?i vì nó có c?ng su?t truy?n ??ng c?c c?ng (G) th?p, t?c ?? m? ?óng nhanh và n?ng l?c làm vi?c song song xu?t s?c. R?t nhi?u MOSFET c?ng su?t có k?t c?u th?ng ??ng h??ng d?c, c?c ngu?n (S) và c?c máng (D) n?m trên m?t ph?ng ??i nhau c?a ch?t bán d?n, t? ?ó có th? ch?y qua dòng ?i?n l?n và có ?i?n áp cao.
Hình 1a và 1b th? hi?n k?t c?u linh ki?n c?a hai lo?i c? b?n là kênh và m?t ph?ng. K?t c?u kênh ch? y?u dùng v?i linh ki?n có ?i?n áp ??nh m?c th?p h?n 200V, b?i vì nó có m?t ?? kênh cao, vì v?y ?i?n tr? d?n truy?n th?p. K?t c?u m?t ph?ng thích h?p dùng v?i linh ki?n ?i?n áp ??nh m?c cao h?n, b?i vì ?i?n tr? d?n truy?n ch? y?u do ?i?n tr? c?a l?p epi- quy?t ??nh, vì v?y kh?ng th? có ???c m?t ?? ch?t bán d?n cao. Thao tác c?a hai lo?i k?t c?u c? b?n t??ng ??ng. Ngo?i tr? ??nh ngh?a ??c bi?t ra, bài vi?t này ch? th?o lu?n v? k?t c?u kênh.
Figure 1a: Hình1a: K?t c?u MOSFET kênh Figure 1b: Hình 1b: K?t c?u MOSFET m?t ph?ng
2.?i?n áp ?ánh th?ng
Trong s? r?t nhi?u MOSFET c?ng su?t, ?i?m n?i ???c hình thành gi?a c?c ngu?n N+ và P-body là ng?n m?ch th?ng qua v?t kim lo?i, t? ?ó tránh ???c vi?c v? tình d?n truy?n Transistor l??ng c?c n?i ky sinh. Khi kh?ng có phan c?c thêm vào c?c c?ng, MOSFET c?ng su?t th?ng qua phan c?c ng??c hình thành ?i?m n?i c?a P-body và N- Epi, có th? ch?u ???c ?i?n áp c?c máng cao.
Trong linh ki?n ?i?n áp cao, ph?n l?n ?i?n áp do l?p Epitaxy ít pha t?p ch?u: l?p Epitaxy ít pha t?p dày ch?u ???c ?i?n áp ?ánh th?ng cao h?n, nh?ng l?i t?ng thêm ?i?n tr? d?n truy?n. Trong linh ki?n ?i?n áp th?p, m?c ?? pha t?p P-body và l?p N- Epi t??ng t? nhau, c?ng có th? ch?u ???c ?i?n áp. N?u nh? ?? dày c?a P-body kh?ng ??, pha t?p n?ng quá nhi?u, vùng nghèo có th? xuyên qua l? ??n ???c vùng c?c ngu?n N+, t? ?ó làm gi?m th?p giá tr? ?i?n áp ?ánh th?ng. N?u nh? ?? dày c?a P-body quá l?n, pha t?p n?ng kh?ng ??, ?i?n tr? và ?i?n áp ng??ng c?a kênh s? t?ng lên. Vì v?y c?n ph?i c?n th?n thi?t k? pha t?p và ?? dày c?a P-body và Epitaxy ?? t?i ?u hóa tính n?ng c?a nó.
Trong b?ng d? li?u, th?ng th??ng ??nh ngh?a BVDSS là dòng rò là ?i?n áp c?a c?c máng ??n c?c ngu?n khi là 250uA. Dòng rò c?a c?c máng ??n c?c ngu?n th? hi?n là IDSS, nó ???c ?o khi h?n m?c BVDSS ? 100%. Nhi?t ?? t?ng thêm, IDSS t?ng thêm, BVDSS c?ng t?ng thêm.
3.??c tính tr?ng thái d?n truy?n
Ph?i can nh?c MOSFET c?ng su?t làm vi?c ? hai ch? ?? khác nhau: làm vi?c ? góc ph?n t? th? nh?t và góc ph?n t? th? ba.
Làm vi?c ? góc ph?n t? th? nh?t
Khi ?i?n áp thu?n thêm vào c?c máng, thao tác MOSFET c?ng su?t c?a kênh N làm vi?c ? góc ph?n t? th? nh?t, nh? hình 2 th? hi?n. Khi ?i?n áp c?c c?ng VG t?ng thêm ??n ?i?n áp ng??ng VTH, kênh MOSFET b?t ??u ch?y qua dòng ?i?n. Giá tr? dòng ?i?n ch?y qua c?a nó quy?t ??nh b?i ?i?n tr? d?n truy?n c?a MOSFET, ??nh ngh?a là:
RDSON=VD/ID
??i v?i truy?n ??ng ?i?n tích c?c c?ng ??y ?? VG>>VTH, ?? th? ID-VD thao tác t?i vùng tuy?n tính, b?i vì kênh c?a MOSFET d?n truy?n hoàn toàn. ? ?i?n áp truy?n ??ng c?c c?ng th?p, khi VD>(VG-VTH), do hi?u ?ng ch?nh c?t c?a kênh, dòng ?i?n c?c máng ??t ??n ?i?m b?o hòa.
Hình 2: ??c tính vùng d?n truy?n (góc ph?n t? th? nh?t)
??i v?i MOSFET kênh, RDSON do m?y b? ph?n d??i ?ay k?t h?p thành:
- RS: ?i?n tr? c?c ngu?n
- RCH: ?i?n tr? kênh
- RACC: ?i?n tr? vùng t?p h?p
- REPI: ?i?n tr? l?p ??nh mi?ng silicon, silicon Epitaxy, epi có tên; epi ki?m soát giá tr? ?i?n áp ch?n mà MOSFET có th? ch?u ???c
- RSUBS: ?i?n tr? ?? silicon, epi sinh tr??ng t? bên trên nó.
Hình 3a: T? h?p RDSONkênh Hình 3b: T? h?p MOSFETRDSONm?t ph?ng
??i v?i MOSFET m?t ph?ng, m?t ph?n t? h?p RDSON và MOSFET kênh t??ng t? nhau. ?i?m khác nhau ch? y?u ? ch? b? ph?n xu?t hi?n JEET. Khi thi?t b? thu nh? ??n kích th??c nh? h?n, RS, RCH, RACC c?ng nh? ?i, b?i vì có nhi?u ? c? s? ??n v? riêng l? s? tích l?i ? vùng mi?ng silicon cho s?n. M?t m?t khác, khi dòng ?i?n b? h?n ch? ch?y qua vùng n- nh? h?p g?n v?i vùng P-body, RJFET s? ch?u ??ng hi?u ?ng JEET. Do kh?ng có hi?u ?ng JEET, MOSFET kênh có th? có ???c thu h?p m?t ?? cao h?n, th?c hi?n ???c RDSON th?p.
RCH ?i?n tr? kênh ch? y?u ph? thu?c vào m?c ?? truy?n ??ng c?c c?ng. VGS t?ng thêm, RCH gi?m b?t. Khi b?t ??u, khi VGS t?ng ??n trên VTH, RDSON r?t nhanh chóng gi?m nh? ?i, ch?ng t? kênh MOSFET d?n truy?n. Khi VGS t?ng thêm m?t b??c, RDSON gi?m xu?ng t??ng ??i ch?m, b?i vì kênh d?n truy?n hoàn toàn, ?i?n tr? d?n truy?n MOSFET do b? ph?n t? h?p ?i?n tr? khác quy?t ??nh. Cùng v?i vi?c nhi?t ?? t?ng thêm RDSON c?ng t?ng thêm, b?i vì nhi?t ?? t?ng thêm n?ng l?c v?n chuy?n c?a ch?t mang th?p ?i, ?ay là ??c tính quan tr?ng c?a linh ki?n làm vi?c song song.
Hình 4: RDSON v?i phan c?c và nhi?t ?? c?c c?ng
?i?n áp ng??ng
?i?n áp ng??ng VGS(TH) ??nh ngh?a là ?i?n áp phan c?c c?c c?ng t?i thi?u, lúc này gi?a c?c ngu?n và c?c máng hình thành kênh d?n truy?n. ??i v?i MOSFET c?ng xu?t, ?o khi kênh dòng ?i?n c?c ngu?n và c?c máng ? 250uA. ?? dày l?p oxy hóa c?c c?ng và m?c t?p trung pha t?p kênh dùng ?? ki?m soát ?i?n áp ng??ng. ?i?n áp truy?n ??ng 10-15V, giá tr? ?i?n hình c?a nó thi?t k? là 2-4V. S? d?ng k? thu?t CMOS thu h?p, ?i?n áp truy?n ??ng c?c c?ng c?a MOSFET c?ng su?t có th? gi?m xu?ng ??n 2,5-4,5V. Vì v?y nh?ng ?ng d?ng này c?n ?i?n áp ng??ng th?p h?n 1-2V. ?i?n áp ng??ng có h? s? nhi?t ?? am, nhi?t ?? t?ng thêm, ?i?n áp ng??ng gi?m xu?ng.
?i?n d?n truy?n
?i?n d?n truy?n, ??nh ngh?a là ?i?n áp t?ng c?a MOSFET, có th? bi?u th? b?ng c?ng th?c sau ?ay:
gfs=DIDS/DVGS =μCox W/LCH
Th?ng th??ng ?o ? VDS c? ??nh và ? vùng b?o hòa. ?? r?ng c?c c?ng linh ki?n W, ?? dài kênh LCH, tính linh ho?t μ, ?i?n dung c?c c?ng COX, ?nh h??ng giá tr? ?i?n d?n truy?n. Nhi?t ?? t?ng thêm, ?i?n d?n truy?n gi?m xu?ng, b?i vì ho?t tính c?a ch?t mang gi?m xu?ng.
Làm vi?c ? góc ph?n t? th? ba
Trong thi?t b? chuy?n ??i BUCK c?a DCDC, MOSFET c?ng su?t làm vi?c ? góc ph?n t? th? ba r?t th??ng th?y, dòng ?i?n ch?y ra MOSFET c?a kênh N bên d??i, so sánh v?i góc ph?n t? th? nh?t, h??ng c?a dòng ?i?n là ng??c h??ng, RDSON ???c áp d?ng gi?ng nhau.
Khi dòng ?i?n t??ng ??i th?p, ??c tính d?n truy?n c?a làm vi?c ? góc ph?n t? th? ba ??i x?ng v?i góc ph?n t? th? nh?t. Vì v?y có th? gi? ??nh ?i?n hình hai lo?i thao tác có RDSON gi?ng nhau. Khi dòng ?i?n l?n và VDS l?n, ph??ng th?c làm vi?c c?a b?n nó khác nhau. Khi VDS ti?p c?n gi?m ?i?n áp thu?n c?a body-diode, body-diode b?t ??u d?n truy?n. Vì v?y dòng ?i?n t?ng thêm, kh?ng th? nhìn th?y ??c tính b?o hòa dòng ?i?n.
Hình 5: Làm vi?c ? góc ph?n t? th? ba
4.?i?n dung
??c tính m? ?óng c?a MOSFET ch?u ?nh h??ng c?a ?i?n dung ky sinh c?a ba chan c?a linh ki?n, c?ng chính là ?i?n dung c?a c?c c?ng và c?c ngu?n CGS, ?i?n dung c?a c?c c?ng và c?c máng CGD và ?i?n dung c?a c?c máng và c?c ngu?n CDS, nh? th? hi?n trong hình 6. Nh?ng giá tr? ?i?n dung này là phi tuy?n tính, và k?t c?u linh ki?n, ??c tính hình h?c liên quan v?i ?i?n áp phan c?c.
Hình 6: ?i?n dung ky sinh MOSFET
Khi b?t, ?i?n dung CGD và CGS s?c ?i?n th?ng qua c?c c?ng, vì v?y khi thi?t k? m?ch ?i?u khi?n c?a c?c c?ng c?n ph?i can nh?c ??n s? thay ??i c?a ?i?n dung. B?ng d? li?u c?a MOSFET cung c?p th?ng s? ?i?n dung ky sinh, CISS, COSS và CRSS.
CGD = CRSS
CGS = CISS ? CRSS
CDS = COSS ? CRSS
CRSS = ?i?n dung truy?n ng??c h??ng tín hi?u nh?.
CISS = ?i?n dung ??u vào tín hi?u nh?, ng?n m?ch c?c máng và c?c ngu?n
COSS = ?i?n dung ??u ra tín hi?u nh?, ng?n m?ch c?c c?ng và c?c ngu?n
?i?n dung c?a MOSFET là phi tuy?n tính, là hàm s? c?a c?a ?i?n áp phan c?c m?t chi?u. Hình 7 bi?u th? ?i?n dung thay ??i theo ?i?n áp VDS t?ng thêm nh? th? nào. Toàn b? ?i?n dung ky sinh c?a MOSFET b?t ngu?n t? t? h?p c?a ?i?n dung oxit kh?ng ph? thu?c vào phan c?c và ?i?n dung l?p ?i?n tích m?ng silicon ph? thu?c vào phan c?c. Khi ?i?n áp t?ng lên, s? gi?m b?t c?a ?i?n dung có liên quan v?i VDS b?t ngu?n t? ?i?n dung l?p ?i?n tích m?ng gi?m b?t, khu v?c l?p ?i?n tích m?ng m? r?ng.
Hình 7b th? hi?n khi ?i?n áp VGS t?ng lên l?n h?n ?i?n áp ng??ng, giá tr? ?i?n áp VDS th?p, ?i?n dung c?c c?ng MOSFET c?ng t?ng thêm, b?i vì l?p ??o ng??c electron kênh MOS hình thành, ? ph?n ?? kênh hình thành l?p ng?ng t? electron. ?ay c?ng là nguyên nhan vì sao m?t khi ?i?n áp v??t quá c?p b?c QGD, t?ng thêm ?? chéo c?a ?? th? ??c tính ?i?n tích c?c c?ng.
Hình 7a : ?i?n dung ?i?n hình thay ??i theo VDS Hình 7b : ?i?n dung ??u vào ?i?n hình Ciss thay ??i theo VGS
5.?i?n tích c?c c?ng G
N?u nh? ?? bi?t dòng ?i?n truy?n ??ng c?a c?c c?ng, th?ng s? ?i?n tích c?c c?ng có th? dùng ?? tính toán th?i gian m? ?óng MOSFET c?ng su?t. ?i?u này ch? quy?t ??nh b?i ?i?n dung ky sinh c?a linh ki?n. Th?ng s? này ch?u ?nh h??ng t??ng ??i nh? c?a dòng ?i?n c?c máng và ?i?n áp và nhi?t ?? ngu?n ?i?n. Hình ?nh nguyên ly c?a ki?m tra ?i?n tích c?c c?ng và d?ng sóng có liên quan xem th? hi?n ? hình 8. Trong m?ch này ngu?n dòng ?i?n c?c c?ng Ig kh?ng thay ??i s?c ?i?n cho c?c c?ng c?a linh ki?n ki?m tra, dòng ?i?n c?c máng ID ???c cung c?p t? bên ngoài. L??ng ?o VGS và th?i gian s?c ?i?n c?c c?ng, có th? tr?c ti?p ch? r? dòng ?i?n c?c máng t?ng t? 0 ??n ID, ??ng th?i khi ?i?n áp c?c máng t? VDC gi?m b?t ?i?n áp d?n truy?n hoàn toàn, n?ng l??ng mà linh ki?n tiêu hao.
Tr??c khi m? dòng ?i?n c?c c?ng, VDC toàn b? ?i?n áp ngu?n mà linh ki?n ki?m tra ph?i ch?u, mà ?i?n áp VGS và dòng ?i?n c?c máng là 0. M?t khi Ig dòng ?i?n c?c c?ng b?t ??u ch?y qua, CGS ?i?n dung c?c c?ng và c?c ngu?n và CGD ?i?n dung c?c c?ng và c?c máng b?t ??u s?c ?i?n, ?i?n áp t? c?c c?ng ??n c?c ngu?n b?t ??u t?ng thêm. T?c ?? s?c ?i?n là IG/CISS. Khi ?i?n áp VGS ??t ??n ?i?n áp giá tr? ng??ng xong thì dòng ?i?n c?c máng b?t ??u ch?y qua. ?i?n áp c?c c?ng b?t ??u t?ng lên ?? ?i?n áp n?n t?ng VGP (VGSTH+ID/gFS), còn ?i?n áp c?a linh ki?n ki?m tra duy trì ? ?i?n tích Ig*time là QGS ?i?n áp ngu?n c?n ??t ??n tr?ng thái lo?i này. Khi dòng ?i?n c?a c?c máng ??t ??n ID, ?i?n áp c?a c?c máng b?t ??u gi?m xu?ng, lúc này VGS duy trì ? giá tr? VGP kh?ng thay ??i. Dòng ?i?n c?c c?ng dùng ?? s?c ?i?n cho CGD ?i?n dung, Ig= CGD dVDS/dt. Khi VDS ti?p c?n v?i tr?ng thái d?n truy?n, k?t thúc giai ?o?n n?n t?ng. ? giai ?o?n n?n t?ng, ?i?n tích c?c c?ng rót vào là QGD, th?ng th??ng dùng nó ?? tính toán th?i gian chuy?n ??i ?i?n áp và tiêu hao c?ng t?c.
B??c ti?p theo, ki?m tra c?c c?ng c?a linh ki?n ti?p t?c s?c ?i?n ??n giá tr? cu?i cùng, ?i?n áp c?c máng và c?c ngu?n bi?n thành RDSON x ID. ?i?n áp c?c c?ng và c?c ngu?n t?ng lên t? do, ?? d?c t?ng lên ???c quy?t ??nh b?i dòng ?i?n s?c ?i?n c?a c?c c?ng và CISS, khi VGS>VTH, CISS cao h?n, nh? hình 7b th? hi?n, khi?n cho trên ?? th? ?i?n tích c?c c?ng ?? d?c càng th?p h?n, cho ??n khi ?i?n áp c?c c?ng và c?c ngu?n ??t ??n giá tr? t?i ?a. ?i?n tích c?a c?c c?ng này là QG toàn b? ?i?n tích c?c c?ng.
Hình 8: M?ch và d?ng sóng ki?m tra ?i?n tích c?c c?ng
6.?i?n tr? c?c c?ng G
??i v?i d?n ??ng c?a c?c c?ng, c?c c?ng MOSFET c?ng xu?t th? hi?n tr? kháng t??ng t? v?i m?ng RC. ?i?n tr? t??ng ???ng chính là ch? Rg ?i?n tr? c?a c?c c?ng. ?i?n tr? c?a c?c c?ng do ?i?n tr? c?a ch?t d?n silicon ?a tinh th? c?a c?c c?ng, kim lo?i và k?t c?u k?t n?i sinh ra. K?t c?u k?t n?i chính là ???ng tín hi?u c?c c?ng ???c b? trí ??n ??a hàn ?? k?t n?i chan c?a ?óng gói bên ngoài.
??i v?i MOSFET kênh c?ng su?t c?c c?ng silicon ?a tinh th?, ?i?n tr? c?a c?c c?ng quy?t ??nh b?i m?c ?? pha t?p và lo?i hình (lo?i N ho?c lo?i P) c?a v?t li?u silicon ?a tinh th?, ??c tính hình h?c c?a kênh c?c c?ng và s?p x?p thi?t k? c?a linh ki?n. ??i v?i thi?t k? linh ki?n gi?ng nhau, MOSFET c?ng su?t kênh lo?i N th?ng th??ng có ?i?n tr? c?c c?ng th?p h?n lo?i P, b?i vì trong silicon ?a tinh th? pha t?p thích h?p, lo?i N có ?i?n tr? màng m?ng th?p h?n. R?t nhi?u linh ki?n c?ng t?c cu?i cùng ph?i s? d?ng thi?t b? LCR, Rg ?o ???c 100%.
7.B?t và t?t
B?ng d? li?u MOSFET c?ng su?t th?ng th??ng có ??c tính c?ng t?c c?a ph? t?i tính tr?, quy?t ??nh b?i Rg, Ciss và Crss. Khi ?i?n c?m ky sinh và nhan t? chi ti?t truy?n ??ng c?c c?ng ?nh h??ng ??n ?o l??ng th?c t?, thì có th? ki?m tra ??c tính v?t ly c? b?n. Hình 9 ?? th? hi?n m?ch và d?ng sóng ki?m tra c?ng t?c ph? t?i tính tr? c?a MOSFET c?ng su?t.
Hình 9: M?ch và d?ng sóng ki?m tra c?ng t?c ph? t?i tính tr?
td(on) – Th?i gian ?? tr? b?t, giá tr? này là th?i gian Vgs t?ng lên ??n quá 10% ?i?n áp truy?n ??ng c?c c?ng, ??ng th?i dòng ?i?n c?c máng t?ng lên v??t qua giá tr? quy ??nh, vào th?i ?i?m td(on), VGS ??t ??n ?i?n áp ng??ng, kho?ng th?i gian này do s? hàng nghìn h?ng s? th?i gian Rg Ciss quy?t ??nh.
tr – Th?i gian t?ng lên, giá tr? này là th?i gian dòng ?i?n ph? t?i c?a dòng ?i?n c?c máng t? dòng ?i?n ph? t?i 10% t?ng lên ??n 90%, quy?t ??nh b?i VTH, gFS ?i?n d?n truy?n và h?ng s? th?i gian Rg Crss.